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Q & A 常見問題

09204 : 多量多樣化蛋白質純化專用自動進樣系統

09204 : 多量多樣化蛋白質純化專用自動進樣系統

在液相層析系統領域上,樣品多樣化且不限制體積的自動進樣一直是在大分子之中...

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如何增加儀器檢測效率及品質?


無機分析檢測中為達到高效率、低誤差、高品質之分析結果,唯有搭配全自動採樣(注射)系統才可達到高效率、低誤差、高品質檢測目標,多數檢測分析儀器皆由人工進行分析,但相對的”人”所帶來的誤差也是最難掌控的因此為達到分析檢測最高目標也僅能依靠全自動採樣(注射)系統。



如何增加儀器感度,降低偵測濃度?


在有限的儀器偵測限制下如何去增加儀器感度來降低偵測濃度,這個問題一直以來都在困擾著分析者,目前就無機分析領域來說可搭配超音波霧化器來增加儀器感度,其基本原理是利用電子震盪原理,運用電壓震盪器來產生高頻率震波,將液態分子架構給打散,以此模式將樣品液體震成極小的霧狀粒子進而分析增加其偵測極限。



如何檢測固體樣品之重金屬含量?


主要無機分析儀器ICP-OES、ICP-MS或其它檢測儀器分析元素時,此類型儀器僅能接受流體進入儀器內分析,但現實中還是有一些樣品基質過於複雜無法達到消解目的或目標物體積過於窄小至mm或m取樣困難等。上述類似樣品可利用雷射剝蝕取樣系統(Laser Ablation System)直接來針對您的樣品做檢測,其基本原理為當高能量的雷射照射在固體表面之後,樣品會破裂形成短暫且高能量的電漿,此電漿由原子(atoms)、分子(molecules)離子(ions)、微粒(particles)、和團簇(clusters)組成,將高能量的電漿導入偵測器即可測得該物質重金屬含量。

如何檢測水中有機物的濃度?


水中的有機物含量,可以用總有機碳TOC (Total Organic Carbon) 表示。。因為有機物受185 nm短波長之紫外線照射後,會被氧化分解,此時生成的二氧化碳會溶於水中而形成碳酸根離子,造成電導率的增加。再經由氧化前後的電導率差 (△C) 進而求出超純水中TOC濃度,單位為 μg C / L,也可以用ppm、ppb來表示。超純水中的有機物經常用TOC analyzer來加以監測 (如下圖)





過濾膜的種類及適用範圍為何?


去除水中汙染物質所使用的濾膜,會根據分離對象的大小、種類而有所不同(如下圖)。依孔徑的大小順序,膜的孔徑可以分為微過濾膜、超濾膜、奈米過濾膜、逆滲透膜等,分別使用於細菌、微生物、蛋白質、懸浮膠體物質、小分子有機物質與離子的去除。





水溫是否會影響比阻抗值?


水的解離常數(Ksp)會隨著水溫而改變,因而比阻抗值會受到水溫的影響而變化(如圖下圖1)。例如,25℃的超純水,其比阻抗值為 18.2 MΩ.cm,但在 0℃時則為 84.2 MΩ.cm,100℃則為 1.3 MΩ.cm。在25℃附近時,溫度每上升1℃,其比阻抗值則下降 0.84 MΩ.cm。因此,一般使用溫度補償至 25℃的比阻抗值來做衡量標準。





在選擇膜過濾法時,評估一個膜過濾的效果,是否單純的依照孔徑及通量就可以設計系統?


在使用膜過濾系統時,系統水質的穩定性要求是最大的考慮,而膜的孔徑及通量,往往並無法完全的表示出膜的特性,必須還要依照原水的化學特性,考慮膜的材質親水性/疏水性、孔徑分佈、機械強度、耐溫及耐溶劑性等…綜合的評估,選擇最適當的膜。



超純水中的pH值如何計算?


超純水的電阻率為18.2MΩ,就理論而言已無法導電,所以並不能使用一般的pH測試方法檢測。一般純水的pH值即為7,而超純水的化學溶解性很高,容易受到環境的物質溶解影響pH值,所以再超純水的領域中,pH值通常參考值為 7,但是並無法實際驗證。


歐傑電子能譜(AES)與能量散射光譜儀(EDX)之差別為何?


AES與EDX,一樣利用入射電子束撞擊樣品,而內層電子會因此逃離原來軌域使外層電子進入同時釋出能量,若此能量以X光形式放出則為EDX;若是放出的能量再激發出另一個外層電子則此稱為歐傑電子。此兩種形式都因來自原子內的特定軌域,所以可藉此得知原子特性,進而得到相對材料的資訊。歐傑電子著重在於非常淺層的訊號,可藉此直接了解樣品表面連接情形。而EDX則會取得較為深入且經由碰撞後產生的訊號。





D-SIMS 和S-SIMS有何不同?



Static-SIMS 為一次打入一個離子,所以會針對樣品表面單層原子分析,所得到的為分子片段的資訊,一般搭配飛行時間質譜;Dynamic-SIMS 為連續式的離子打入,類似濺鍍的過程,得到的為區域性的分析,一般搭配四極柱質譜。因此就空間解析度而言,S-SIMS較佳,相對作縱深分析時速度較慢。使用者將依照所需分析樣品種類及所要求的條件做機台的選擇。






離子槍除了C60之外還有其他種嗎?有什麼差別?


C60較適合用於材質較軟的生物樣品或是高分子樣品,因其質量較輕,能夠剝蝕後作縱深分析卻不會破壞樣品結構。早期使用Ar或Ga,易造成表面嚴重的破壞。現在除了C60之外Bi更將成為搭配SIMS的利器之一。





AES,ESCA,SIMS 這種表面分析儀為何一定要在超高真空中才能分析樣品?


因材料表面有生命週期,乾淨的材料表面在1x10 -6 Torr 真空中,每秒會吸附一層氣體分子。因此在1x10 -10 Torr 真空下,材料表面在 1x104 秒鐘 (約2小時50分鐘)後會吸附一層氣體分子。例如1x10-9 Torr 真空下,材料表面週期、僅剩17分鐘(1x103秒鐘)。而ULVAC-PHI 的系統可達5 x10-10 Torr 的真空度。

如何降低晶圓(Wafer)表面無基金屬污染?


晶圓(Wafer)表面無機金屬污染一直以來都是半導體製程中良率提升的重要關鍵,目前半導體製程有採用on-Line VPD-TXRF 與 off-Line VPD方式串聯無機檢測儀器線上監控製程中表面無機金屬含量。




何謂VPD?


VPD 全名Vapor Phase Decomposition晶圓表面氣相分解,其主要監測晶圓表面金屬污染物含量來控制晶圓(Wafer)的良率。其操作簡易圖如下: