原理說明
歐傑電子能譜(AES)現已成為一種最廣泛使用獲取固體表面化學成分的分析技術。而這一技術的基本優點是它在0.4至5納米表面高靈敏度的化學分析,快速的數據採集速度,它能夠探測到氦元素以上所有元素和高空間分辨率的能力。可以達到高空間分辨率是因為樣品在超高真空(UHV)技術下被已聚焦成細探針的電子束所激發。
下圖顯示了俄歇能譜使用K,LI,LII和LIII電子層的圖標。這些可能是一個原子在分子或固態的環境下的內殼層。歐傑原理是當X射線或高能電子輻射到物體上時,由於光子能量很高,能穿入物體,使原子內殼層上的束縛電子發射出來。當一個處於內層電子被移除後,在內殼層上出現空位,而原子外殼層上高能級的電子可能躍遷到這空位上,同時釋放能量。一定的內原子殼空位可以引起一個或多個歐傑電子躍遷。
躍遷時釋放的能量將以輻射的形式向外發射。通常能量以發射光子的形式釋放,但也可以通過發射原子中的一個電子來釋放,被發射的電子叫做歐傑電子。被發射時,歐傑電子的動能等於第一次電子躍遷的能量與歐傑電子的離子能之間的能差。這些能級的大小取決於原子類型和原子所處的化學環境。
低電壓 Ar+濺鍍槍,對超薄層絕緣材料之縱深分析,可有效中和
表面電荷。
獨家抗震及絕熱的設計,適合長時間的分析與提高影像的穩定性。
提供無死角高解析度之二次電子影像及歐傑元素與化學態影像。
專利設計之同軸式電子束與偵測器空間解析度佳,可得到精確的元素及化學態資訊。
5軸電腦控制樣品平台。