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X光 光電子能譜儀 (XPS)
PHI Scanning XPS Microprobe

原理說明
X射線光電子能譜(XPS),也稱為化學分析電子能譜(ESCA),由於其簡單的使用方法和數據分析,使其成為最廣泛使用的表面分析技術。 XPS是由X射線照射在材料表面,通過測試出射光電子的動能和從材料表面(一般10納米以內)逃離出來電子的數量,獲取固體材料表面的元素組成、含量、化學狀態、分子結構和化學鍵方面的信息,此外絕緣體和導體材料也都可以用XPS來分析。 XPS分析區域可以由從幾微米到幾毫米的尺度。

XPS所用激發源為單色X射線,探測從樣品表面出射的光電子的能量分佈。由於X射線的能量較高,所以得到的主要是原子內殼層軌道上電離出射的電子。對於 XPS,鋁靶K-alpha(1.4 keV)或鎂靶K-alpha(1.2 keV)是儀器實驗時常用的測試條件,現在更增加了鉻靶K-alpha(5.4 keV)本來於同步輻射才有機會使用到的能量範圍。光電子能譜是基於一個單一能量的光子進 > 電子出的過程,這一基本過程是一個比俄歇過程簡單得多的現象。 所有類型的電磁輻射的光子能量是基於愛因斯坦理論中的:E=hν 光電子能譜使用單色輻射激發源(即固定光子能量)。 XPS的光子照射樣品表面時,原子中的電子吸收光電子後,從初態躍遷至高激發態而離開原子,發射出來的光電子的動能EK可以由X射線輻射能量和電子結合能EB來決定:EK=hν-EB而真正實驗測量的光電子能量為:EK=hν-EB-Φ其中Φ是譜儀的功函數。下圖顯示了光電子產生的原理。

X光 光電子能譜儀 (XPS)PHI Scanning XPS Microprobe

產品 特點介紹/規格


XPS-PHI GENESIS

XPS-PHI GENESIS

最新機款

世界獨創的同焦Al Ka(1.4keV)和Cr Ka(5.4keV)的雙掃描X射線源。
專利設計之掃描式聚焦 X 光源,可產生類SEM影像。
專利設計之雙射線電性中和系統。
分析範圍可從 5 μm 至 1400 um。
採用半自動化量測、量測速度快。
分析室內可同時容納三個40mmx40mm or 80 mmx80mm載台。
多功能選配附件
UPS 紫外光電子能譜
LEIPS 低能量反光電子能譜
AES/SAM 歐傑電子能譜
REELS 反射式能量損失譜
雙陽極X 射線源(Mg/Zr、Mg/Al)
Ar-GCIB 氬團簇離子源
Ar-GCIB 氬團簇大小測量工具
C60 團簇離子源 (20KV)
(Hot/Cold stage)樣品升降溫載台
(4-Contact stage)4 觸點電壓電流載台
(Transfer Vessel)樣品保護傳送模組
SPS 樣品定位系統等等