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X光 光電子能譜儀 (XPS)
PHI Scanning XPS Microprobe

原理說明
X射線光電子能譜(XPS),也稱為化學分析電子能譜(ESCA),由於其簡單的使用方法和數據分析,使其成為最廣泛使用的表面分析技術。 XPS是由X射線照射在材料表面,通過測試出射光電子的動能和從材料表面(一般10納米以內)逃離出來電子的數量,獲取固體材料表面的元素組成、含量、化學狀態、分子結構和化學鍵方面的信息,此外絕緣體和導體材料也都可以用XPS來分析。 XPS分析區域可以由從幾微米到幾毫米的尺度。

XPS所用激發源為單色X射線,探測從樣品表面出射的光電子的能量分佈。由於X射線的能量較高,所以得到的主要是原子內殼層軌道上電離出射的電子。對於 XPS,鋁靶K-alpha(1486.6eV)或鎂靶K-alpha(1253.6eV)是儀器實驗時常用的測試條件。 光電子能譜是基於一個單一能量的光子進 > 電子出的過程,這一基本過程是一個比俄歇過程簡單得多的現象。 所有類型的電磁輻射的光子能量是基於愛因斯坦理論中的:E=hν 光電子能譜使用單色輻射激發源(即固定光子能量)。 XPS的光子照射樣品表面時,原子中的電子吸收光電子後,從初態躍遷至高激發態而離開原子,發射出來的光電子的動能EK可以由X射線輻射能量和電子結合能EB來決定:EK=hν-EB而真正實驗測量的光電子能量為:EK=hν-EB-Φ其中Φ是譜儀的功函數。下圖顯示了光電子產生的原理。

X光 光電子能譜儀 (XPS)PHI Scanning XPS Microprobe

產品 特點介紹/規格


XPS-PHI Quantes

XPS-PHI Quantes

最新機款

世界獨創的同焦Al Ka(1.4keV)和Cr Ka(5.4keV)的雙掃描X射線源。
專利設計之掃描式聚焦 X 光源,可產生類SEM影像。
專利設計之雙射線束電性中和系統。
分析範圍可從 7.5 μm 至 1400 um。
採用半自動化量測、量測速度快。
分析室內可同時容納三個75mmx75mm載台。


XPS-PHI Quantera II

XPS-PHI Quantera II

工業領域適用機款

專利設計之掃描式聚焦 X 光源,可產生類SEM影像。
專利設計之雙射線束電性中和系統。
中、英、韓三種語言之操作介面可供選擇。
分析範圍可從 7.5 μm 至 1400 um。
採用半自動化量測、量測速度快。
分析室內可同時容納三個75mmx75mm載台。



XPS-PHI VersaProbe 4

XPS-PHI VersaProbe 4

研究領域適用機款

專利設計之掃描式聚焦X光源,可產生類SEM影像。
專利設計之雙射線束電性中和系統。
最小X光射束可聚焦達9μm以下。
可擴充紫外光譜(UPS)、低能量反電子能譜(LEIPS)、碳60離子槍(C60)、氣體團簇離子槍(GCIB)、前處理進樣系統(VersaLock)、 升降溫載台(Hot/Cold stage)、掃描式歐傑電子槍(AES)、雙靶材(Dual Anode)等。